Ø Kapazität:

• 512 GB/1 TB/2 TB

• Flash-Management-Technik:

• Unterstützung statischer und dynamischer Verschleißbalancierungstechnologien
• Schlechte Blockmanagementtechnologie
• TRIM-Anweisungstechnik
• SMART-Technik
• Anpassung der OP-Förderung
• Schutz vor Ausfällen

Ø Schnittstelle:

• Schnittstelle M.2
• Unterstützung von PCIe 4.0Vereinbarung NVMe 1.4

• Blitz

• SK Hynix 3D TLC
• BGA 132 NAND FLASH

• Betriebstemperaturbereich

• Betriebstemperatur: 0°C bis 70°C
• Lagertemperatur: -25°C bis 85°C

• Lese- und Schreibleistung

• Maximallesen:7200MB/S
• Maximale Schreibgeschwindigkeit: 6700 MB/S

• MTBF

• > 2,000,000 Stunden

• Stromverbrauch

• Spitzenleseleistung: < 3,7 W
• Spitzenschreibleistung: < 4,2 W

• Garantiezeit:

• 3 Jahre